Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SB1495,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495,Q(J

Numero di parte
2SB1495,Q(J
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PNP 3A 100V TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte 2SB1495,Q(J
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Potenza - Max 2W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS
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