Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SB1481(TOJS,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1481(TOJS,Q,M)

Numero di parte
2SB1481(TOJS,Q,M)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PNP 4A 100V TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte 2SB1481(TOJS,Q,M)
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 6mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max) 2µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 3A, 2V
Potenza - Max 2W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220NIS
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fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione: TRANS PNP 4A 100V TO220-3

Disponibile: 0

RFQ -
2SB14880PA

fabbricante: Panasonic Electronic Components

Descrizione: TRANS PNP 400V 0.5A MT-2

Disponibile: 2000

RFQ 0.14924/pcs