Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SB1457(T6CNO,A,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(T6CNO,A,F)

Numero di parte
2SB1457(T6CNO,A,F)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte 2SB1457(T6CNO,A,F)
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V
Potenza - Max 900mW
Frequenza - Transizione 50MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92MOD
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