Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SA1315-Y,HOF(M

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y,HOF(M

Numero di parte
2SA1315-Y,HOF(M
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS PNP 2A 80V TO226-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte 2SA1315-Y,HOF(M
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 900mW
Frequenza - Transizione 80MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92MOD
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