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| Numero di parte | TPS1101DG4 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | +2V, -15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 791mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
Disponibile: 766
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Disponibile: 2775
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Disponibile: 10000
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
Disponibile: 0
