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| Numero di parte | CSD75207W15 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 162 mOhm @ 1A, 1.8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 595pF @ 10V |
| Potenza - Max | 700mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 9-UFBGA, DSBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 9-DSBGA |
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Disponibile: 6000
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
Disponibile: 1000
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
Disponibile: 0
fabbricante: Texas Instruments
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Disponibile: 0
