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| Numero di parte | STW55NM50N |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 350W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 27A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 28A
Disponibile: 586
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 52A TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Disponibile: 476
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
Disponibile: 338
fabbricante: Seoul Semiconductor Inc.
Descrizione: LED 5630 LINEAR STRIP
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 50A
Disponibile: 613
