STMicroelectronics STW30NM60N

Numero di parte: STW30NM60N
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

STMicroelectronics

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
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10 pcs
4.93750/pcs
100 pcs
4.05985/pcs

Totale:5.22500/pcs

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5.22500/pcs

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Parametro del prodotto

Numero di parte	STW30NM60N
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 50V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3