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| Numero di parte | STU9N65M2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V IPAK
Disponibile: 91
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Disponibile: 1485
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Disponibile: 860
