Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STL30N10F7

STMicroelectronics STL30N10F7

Numero di parte
STL30N10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Parametro del prodotto
Numero di parte STL30N10F7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
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