Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STL15N60M2-EP

STMicroelectronics STL15N60M2-EP

Numero di parte
STL15N60M2-EP
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 22943 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTL15N60M2-EP
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs418 mOhm @ 4.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN
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