Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STI33N65M2

STMicroelectronics STI33N65M2

Numero di parte
STI33N65M2
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

In stock 7915 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    1.72000/pcs

  • 10 pcs

    1.62250/pcs

  • 100 pcs

    1.33045/pcs

  • 500 pcs

    1.07734/pcs

  • 1,000 pcs

    0.90860/pcs
Totale:1.72000/pcsUnit Price:
1.72000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTI33N65M2
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1790pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs140 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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