Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STH300NH02L-6

STMicroelectronics STH300NH02L-6

Numero di parte
STH300NH02L-6
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTH300NH02L-6
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7050pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 mOhm @ 80A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH²PAK
Pacchetto / casoTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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fabbricante: STMicroelectronics

Descrizione: MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6

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