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| Numero di parte | STH130N10F3-2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3305pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 60A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H²PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
Disponibile: 0
