Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STFI6N65K3

STMicroelectronics STFI6N65K3

Numero di parte
STFI6N65K3
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 1250 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    3.65000/pcs

  • 10 pcs

    3.45250/pcs

  • 100 pcs

    2.83885/pcs

  • 500 pcs

    2.37848/pcs

  • 1,000 pcs

    2.07158/pcs
Totale:3.65000/pcsUnit Price:
3.65000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTFI6N65K3
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds880pF @ 50V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAKFP (TO-281)
Pacchetto / casoTO-262-3 Full Pack, I²Pak
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