Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STF25N60M2-EP

STMicroelectronics STF25N60M2-EP

Numero di parte
STF25N60M2-EP
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220FP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 2182 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    3.50000/pcs

  • 10 pcs

    3.30000/pcs

  • 100 pcs

    2.70600/pcs

  • 500 pcs

    2.19120/pcs

  • 1,000 pcs

    1.84800/pcs
Totale:3.50000/pcsUnit Price:
3.50000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTF25N60M2-EP
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1090pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs188 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
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