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| Numero di parte | STD70N02L-1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 16V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Disponibile: 2500
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
Disponibile: 0
