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| Numero di parte | STD5N20LT4 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 242pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 2.5A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: SMC Diode Solutions
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
Disponibile: 2500
