Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli STB80NF55L-08-1

STMicroelectronics STB80NF55L-08-1

Numero di parte
STB80NF55L-08-1
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 6035 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    1.61000/pcs

  • 10 pcs

    1.51650/pcs

  • 100 pcs

    1.24365/pcs

  • 500 pcs

    1.00704/pcs

  • 1,000 pcs

    0.84931/pcs
Totale:1.61000/pcsUnit Price:
1.61000/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteSTB80NF55L-08-1
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAK
Pacchetto / casoTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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