Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BDW83C-TO218

STMicroelectronics BDW83C-TO218

Numero di parte
BDW83C-TO218
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRANS NPN DARL 100V 15A TO-218
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Numero di parteBDW83C-TO218
Stato parteDiscontinued at Digi-Key
Transistor TypeNPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic4V @ 150mA, 15A
Corrente - Limite del collettore (max)1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 6A, 3V
Potenza - Max130W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-218-3, TO-218AC
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-218
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