Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SD2012

STMicroelectronics 2SD2012

Numero di parte
2SD2012
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Parametro del prodotto
Numero di parte2SD2012
Stato parteObsolete
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max)100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 5V
Potenza - Max25W
Frequenza - Transizione3MHz
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220F
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