Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli R6035ENZC8

Rohm Semiconductor R6035ENZC8

Numero di parte
R6035ENZC8
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 595 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.95500/pcs
  • 10 pcs

    2.76400/pcs
  • 100 pcs

    2.26630/pcs
  • 500 pcs

    1.83513/pcs
  • 1,000 pcs

    1.54770/pcs
Totale:2.95500/pcs Unit Price:
2.95500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte R6035ENZC8
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2720pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102 mOhm @ 18.1A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PF
Pacchetto / caso TO-3P-3 Full Pack
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