Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati EMH2T2R

Rohm Semiconductor EMH2T2R

Numero di parte
EMH2T2R
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 60000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.04845/pcs
  • 8,000 pcs

    0.04845/pcs
  • 16,000 pcs

    0.04417/pcs
  • 24,000 pcs

    0.04133/pcs
  • 56,000 pcs

    0.03990/pcs
Totale:0.04845/pcs Unit Price:
0.04845/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte EMH2T2R
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore EMT6
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