Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati DTC114EUAT106

Rohm Semiconductor DTC114EUAT106

Numero di parte
DTC114EUAT106
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

In stock 112500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.01657/pcs
  • 3,000 pcs

    0.01741/pcs
  • 6,000 pcs

    0.01570/pcs
  • 15,000 pcs

    0.01365/pcs
  • 30,000 pcs

    0.01229/pcs
  • 75,000 pcs

    0.01092/pcs
  • 150,000 pcs

    0.00910/pcs
Totale:0.01657/pcs Unit Price:
0.01657/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DTC114EUAT106
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore UMT3
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