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| Numero di parte | RJK6018DPK-00#T0 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 16A TO220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Disponibile: 0
