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| Numero di parte | RJK0353DPA-01#J0B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPAK |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
Disponibile: 0
