Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli 2SK4151TZ-E

Renesas Electronics America 2SK4151TZ-E

Numero di parte
2SK4151TZ-E
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 150V 1A TO-92
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Numero di parte 2SK4151TZ-E
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 98pF @ 10V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 500mA, 4V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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