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| Numero di parte | MTM761230LBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 1A, 4V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | WSMini6-F1-B |
| Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 3A WSMINI6
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
Disponibile: 15000
