Numero di parte | VEC2315-TL-W |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 137 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 20V |
Potenza - Max | 1W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-28FL/VEC8 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
Disponibile: 0