Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli NVMFS6B14NLWFT1G

ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G

Numero di parte
NVMFS6B14NLWFT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 15000 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.58261/pcs

  • 1,500 pcs

    0.42492/pcs

  • 3,000 pcs

    0.39562/pcs

  • 7,500 pcs

    0.38096/pcs

  • 10,500 pcs

    0.36631/pcs
Totale:0.58261/pcs Unit Price:
0.58261/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NVMFS6B14NLWFT1G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 55A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
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