Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array NVMFD5483NLT1G

ON Semiconductor NVMFD5483NLT1G

Numero di parte
NVMFD5483NLT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 22500 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
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0.55944/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NVMFD5483NLT1G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 668pF @ 25V
Potenza - Max 3.1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
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