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| Numero di parte | NTMS4177PR2G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 24V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 840mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 11.4A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Disponibile: 2500
