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| Numero di parte | NTLJF4156NTAG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tj) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 427pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Disponibile: 3000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Disponibile: 6000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
Disponibile: 228000
