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| Numero di parte | NTLGF3402PT2G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN (3x3) |
| Pacchetto / caso | 6-VDFN Exposed Pad |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-DFN
Disponibile: 117000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Disponibile: 192000
