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| Numero di parte | NTD110N02RG |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3440pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 24V 100A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
Disponibile: 2500
