Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NSVMSB1218A-RT1G

ON Semiconductor NSVMSB1218A-RT1G

Numero di parte
NSVMSB1218A-RT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PNP BIPOLAR SOT323-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NSVMSB1218A-RT1G
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V
Potenza - Max 150mW
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323)
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fabbricante: ON Semiconductor

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Disponibile: 0

RFQ 0.01963/pcs
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Descrizione: TRANS PNP 300V BIPOLAR SC59-3

Disponibile: 51000

RFQ 0.05301/pcs