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| Numero di parte | NSVBA114EDXV6T1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 10k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 10k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563-6 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Disponibile: 40000
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Disponibile: 0
