Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array NST65011MW6T1G

ON Semiconductor NST65011MW6T1G

Numero di parte
NST65011MW6T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Parametro del prodotto
Numero di parte NST65011MW6T1G
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 380mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SOT-363)
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fabbricante: ON Semiconductor

Descrizione: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88-6

Disponibile: 0

RFQ 0.03780/pcs
NST65011MW6T1G

fabbricante: ON Semiconductor

Descrizione: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6

Disponibile: 66000

RFQ 0.03780/pcs