Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array NSS60100DMTTBG

ON Semiconductor NSS60100DMTTBG

Numero di parte
NSS60100DMTTBG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS 2PNP 60V 1A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Parametro del prodotto
Numero di parte NSS60100DMTTBG
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 2.27W
Frequenza - Transizione 155MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2)
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Disponibile: 21000

RFQ 0.11800/pcs
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