Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli NGTB30N120IHRWG

ON Semiconductor NGTB30N120IHRWG

Numero di parte
NGTB30N120IHRWG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 60A 384W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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1.83250/pcs
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte NGTB30N120IHRWG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Potenza - Max 384W
Cambiare energia 700µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 225nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/230ns
Condizione di test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
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