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| Numero di parte | MTD20P03HDLT4 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1064pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 9.5A, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 19A DPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
Disponibile: 0
