Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati MMUN2231LT1G

ON Semiconductor MMUN2231LT1G

Numero di parte
MMUN2231LT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 97500 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    0.01146/pcs

  • 3,000 pcs

    0.01044/pcs

  • 6,000 pcs

    0.00942/pcs

  • 15,000 pcs

    0.00819/pcs

  • 30,000 pcs

    0.00737/pcs

  • 75,000 pcs

    0.00655/pcs

  • 150,000 pcs

    0.00546/pcs
Totale:0.01146/pcs Unit Price:
0.01146/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MMUN2231LT1G
Stato parte Active
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 2.2k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 246mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
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