Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli MJE802G

ON Semiconductor MJE802G

Numero di parte
MJE802G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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In stock 477 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.29500/pcs
  • 10 pcs

    0.25350/pcs
  • 100 pcs

    0.18935/pcs
  • 500 pcs

    0.14876/pcs
  • 1,000 pcs

    0.11496/pcs
Totale:0.29500/pcsUnit Price:
0.29500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteMJE802G
Stato parteActive
Transistor TypeNPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max)4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
Corrente - Limite del collettore (max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 1.5A, 3V
Potenza - Max40W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-225AA
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