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| Numero di parte | MJD50T4G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Potenza - Max | 1.56W |
| Frequenza - Transizione | 10MHz |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK-3 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Disponibile: 0
