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| Numero di parte | MJD253-1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
| Potenza - Max | 1.4W |
| Frequenza - Transizione | 40MHz |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Disponibile: 0
