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| Numero di parte | MGSF1P02LT1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
Disponibile: 3000
