Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array ECH8697R-TL-W

ON Semiconductor ECH8697R-TL-W

Numero di parte
ECH8697R-TL-W
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT-28
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte ECH8697R-TL-W
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.5W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-28FL/ECH8
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