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| Numero di parte | BMS3003-1E |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 78A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 285nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13200pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 39A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3SG |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 78A
Disponibile: 410
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
Disponibile: 396
