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| Numero di parte | ATP302-TL-H |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 35A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
| Pacchetto / caso | ATPAK (2 leads+tab) |
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
Disponibile: 0
fabbricante: ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Disponibile: 0
