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| Numero di parte | 2SJ652-1E |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 14A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3SG |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3
Disponibile: 0
fabbricante: Panasonic Electronic Components
Descrizione: MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI
Disponibile: 3000
